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A-Z晶體及材料加熱爐系列樣品處理設(shè)備電池制備設(shè)備分析檢測(cè)設(shè)備其他實(shí)驗(yàn)室設(shè)備技術(shù)支持/服務(wù)培訓(xùn)

加熱爐設(shè)備
晶體及材料
破碎/球磨設(shè)備
壓片設(shè)備
輥壓設(shè)備
切割設(shè)備
磨拋設(shè)備
清洗設(shè)備
電池研發(fā)設(shè)備
薄膜制備
配件
其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備

熱處理設(shè)備: 管式爐箱式爐箱管混合

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加熱方式: 電阻加熱紅外燈管加熱感應(yīng)加熱微波加熱

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加熱形式: 常規(guī)爐立式箱管混合式回轉(zhuǎn)爐

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加熱溫度: 300-1200 1250-1500 1600-2000

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加熱溫區(qū): 單溫區(qū) 雙溫區(qū) 三溫區(qū) 多溫區(qū) 感應(yīng)加熱專用

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管徑: ф?25 ф?50 ф?60 ф?80 ф?100 ф?120及以上

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800℃ CSS/RTP快速熱蒸鍍爐（配5英寸旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)）

關(guān)鍵字：: CSS、短波燈管，快速升降溫，RTP
型號(hào)：: OTF-1200X-RTP-II-5-R
產(chǎn)品概述：: OTF-1200X-RTP-II-5-R是一款5英寸近距離旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)鍍膜爐，其爐腔體是一直徑為11英寸的石英管。此款設(shè)備專門設(shè)計(jì)針對(duì)于熱蒸發(fā)或CSS（Close?Spaced?Sublimation）鍍膜實(shí)驗(yàn)，其載樣臺(tái)尺寸5"x5"，并且頂部載樣臺(tái)可旋轉(zhuǎn)，提高鍍膜均勻性。此款高溫爐的加熱元件是兩組紅外燈管（分別位于頂部和底部），最大升溫速率為10oC/s?。

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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情

設(shè)備名稱	800℃ CSS（斜杠）RTP快速熱蒸鍍爐（配5英寸旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)）-OTF-1200X-RTP-II-5-R （2019.10.24--科晶實(shí)驗(yàn)室審核）
產(chǎn)品提示	1.科晶實(shí)驗(yàn)室邀請(qǐng)?zhí)崾?/span> 2.圖片未及時(shí)更新提示 3.多種配件可選提示 4.危險(xiǎn)設(shè)備操作提示
主要特點(diǎn)	·快速升溫，最高達(dá)10℃/s。 ·最高溫度可達(dá)800℃。 ·由兩組紅外燈管作為加熱元件，分別位于頂部和底部，兩溫度控制器進(jìn)行獨(dú)立控溫。 ·兩樣品臺(tái)距離以及旋轉(zhuǎn)均可通過(guò)觸摸屏控制。 ·頂部載樣臺(tái)可旋轉(zhuǎn)。
基本參數(shù)	·工作溫度：最高800℃，兩個(gè)加熱區(qū)之間的最大溫差為300℃ ·最快升溫速率：10 ℃/s ·冷卻速率：>10 ℃/s（800-300℃） ·真空度：20Pa（機(jī)械泵），10E-1Pa（分子泵） ·控溫精度：+/-0.1℃（歐陸表） ·加熱元件：紅外燈管 ·最大功率：10KW(>50A保險(xiǎn)) ·熱電偶：K熱電偶 ·超溫和斷偶保護(hù) ·設(shè)備電源：AC220V/50HZ 單相更多參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系科晶銷售部
加熱元件和載樣臺(tái)	·由兩組紅外燈管作為加熱元件，分別位于頂部和底部 ·兩個(gè)加熱臺(tái)之間的距離可以通過(guò)直流電機(jī)調(diào)節(jié)（觸摸屏控制） ·頂部載樣臺(tái)轉(zhuǎn)速可調(diào)，0-10 r/min（觸摸屏控制） ·為了減少熱量輻射和達(dá)到較快的冷卻速率，加熱元件安裝在帶有水冷夾層的不銹鋼殼體中（不銹鋼殼體采用316不銹鋼制作） ·采用導(dǎo)熱率較高的氮化鋁陶瓷片（5"×5"×0.5mm厚度）作為載樣臺(tái)，以達(dá)到較好的加熱均勻性
真空法蘭	·真空法蘭為316不銹鋼制作 ·頂部法蘭（可通過(guò)控制盒進(jìn)行上升和下降）：一機(jī)械壓力表一KF16接口，可以安裝防腐真空計(jì) 兩個(gè)不銹鋼精密針閥用于氣體的進(jìn)出 ·底部法蘭：一KF25接口，可以與真空泵相連接法蘭是通過(guò)兩個(gè)硅膠O型圈進(jìn)行密封
尺寸	790mm × 600mm × 1100mm
認(rèn)證	·若客戶出認(rèn)證費(fèi)用，本公司保證單臺(tái)設(shè)備通過(guò)德國(guó)TUV認(rèn)證或者CAS認(rèn)證。
質(zhì)保	一年質(zhì)保期，終生維護(hù)（不包括密封圈、加熱元件和石英管）

科晶實(shí)驗(yàn)室對(duì)OTF-1200X-RTP-II-5-R設(shè)備做了一系列實(shí)驗(yàn)研究：

蒸鍍物料：硒化銻；基底：石英片

結(jié)論：基底310℃，蒸發(fā)源700℃，蒸鍍3min以上可在石英片上蒸鍍硒化銻。

基底溫度/℃	蒸發(fā)源溫度/℃	蒸鍍后
310	560
320	570
330	580
340	590
350	600
370	620
310	700	蒸鍍2min
310	700	蒸鍍3min
310	700	蒸鍍5min

鍍膜形貌：

由SEM圖可看到，鍍層表面顆粒大小均勻，總體分布均勻。

樣品	SEM形貌

XRD檢測(cè)：

對(duì)比兩個(gè)XRD圖可知，蒸鍍后基底出現(xiàn)新的Sb2Se3成分，說(shuō)明Sb2Se3薄膜成功蒸鍍。

光能薄膜電池循環(huán)檢測(cè)：

對(duì)蒸鍍后的材料做電池循環(huán)檢測(cè)，循環(huán)周期為15 ，說(shuō)明成功制做出光能薄膜電池。

若有疑問(wèn)或需要更多詳細(xì)數(shù)據(jù)請(qǐng)聯(lián)系科晶實(shí)驗(yàn)室

應(yīng)用提示

·頂部載樣臺(tái)近距離旋轉(zhuǎn)蒸鍍時(shí)，應(yīng)注意上下距離，避免旋轉(zhuǎn)時(shí)夾樣夾螺釘刮蹭坩堝。

·使用冷阱時(shí)，由于是剛性連接，注意冷阱與腔體保持在同一水平線上，避免腔體升降產(chǎn)生應(yīng)力導(dǎo)致接口脫離。

·由于氣瓶?jī)?nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時(shí)，氣瓶上必須安裝減壓閥。

警示

·爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa。

·對(duì)于樣品加熱的實(shí)驗(yàn)，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對(duì)樣品加熱，則需時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）

相關(guān)可選

·可選用真空系統(tǒng)配套使用：機(jī)械泵真空度達(dá) 50 mtorr(圖1)；

分子泵真空度可達(dá) 10E-4 torr。(圖2)

·如果使用腐蝕性氣體，請(qǐng)使用冷阱或防腐干泵。(圖3)

·可選購(gòu)合肥科晶的循環(huán)水冷機(jī)配套使用。(圖4)

·多種混氣、供氣系統(tǒng)可選。(圖5)

·可選購(gòu)5"x5"的石墨坩堝放于底部載樣臺(tái)用來(lái)盛放蒸發(fā)原料，提高溫度均勻性。（圖6）