走進(jìn)科晶
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湖南大學(xué)（來(lái)源：湖南新聞聯(lián)播）
發(fā)布時(shí)間：2020-01-13
2019年1月6日湖南衛(wèi)視新聞聯(lián)播播出湖南大學(xué)王雙印教授領(lǐng)銜的催化劑缺陷化學(xué)研究項(xiàng)目目前處于全球領(lǐng)先水平，目前該項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入工廠測(cè)試驗(yàn)證階段。在新聞中播放的王雙印教授的實(shí)驗(yàn)室中出現(xiàn)了合肥科晶的設(shè)備身影：
點(diǎn)擊查看完整視頻（第10：07分出現(xiàn)）
視頻中出現(xiàn)了合肥科晶的加熱爐以及PECVD系統(tǒng)。目前公司共擁有十幾種不同型號(hào)的PECVD系統(tǒng)，客戶可根據(jù)需求進(jìn)行選擇。同時(shí)公司亦接受非標(biāo)產(chǎn)品方案的定制，公司的模塊化思想可方便客戶的搭建需求，更容易實(shí)現(xiàn)客戶的定制方案。
視頻中的科晶設(shè)備：
(1)PECVD系統(tǒng)
型號(hào)：OTF-1200X-50S-PE-SL
部分參數(shù)：連續(xù)工作最高溫度：1000℃；尺寸：1500mm L*600mm W*1200mm H
(點(diǎn)擊圖片或鏈接了解更多詳情)（http://pnjoxzlx.cn/product/16689.html）
(2)箱式加熱爐
型號(hào)：KSL-1200X
部分參數(shù)：爐腔容積：7.2L；最高加熱溫度：1200℃；加熱爐尺寸：440mm L*530mm W*530mm H
(點(diǎn)擊圖片或鏈接了解更多詳情)（http://pnjoxzlx.cn/product/16847.html）
更多PECVD系統(tǒng)：
(點(diǎn)擊圖片或鏈接了解更多詳情)（http://pnjoxzlx.cn/product/15840/list.html）
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)：
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition，簡(jiǎn)稱PECVD）技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。由于PECVD技術(shù)是通過(guò)反應(yīng)氣體放電來(lái)制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。
一般說(shuō)來(lái),采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時(shí)，薄膜的生長(zhǎng)主要包含以下三個(gè)基本過(guò)程：
首先，在非平衡等離子體中，電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級(jí)反應(yīng)，使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團(tuán)的混合物；
其二，各種活性基團(tuán)向薄膜生長(zhǎng)表面和管壁擴(kuò)散輸運(yùn)，同時(shí)發(fā)生各反應(yīng)物之間的次級(jí)反應(yīng)；
最后，到達(dá)生長(zhǎng)表面的各種初級(jí)反應(yīng)和次級(jí)反應(yīng)產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應(yīng)，同時(shí)伴隨有氣相分子物的再放出。
如果您想了解設(shè)備，請(qǐng)于我公司銷售部聯(lián)系
歡迎您來(lái)到科晶開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室參觀與親自試用
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