| 設(shè)備名稱 | 1200℃雙溫區(qū)連續(xù)生長(zhǎng)卷對(duì)卷PECVD系統(tǒng)(φ80mm x 1400 mm,溫區(qū)長(zhǎng)440mm)—OTF-1200X-II-PE-RR （2019.12.25—科晶實(shí)驗(yàn)室審核） |
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| 產(chǎn)品提示 | 1、多種配件可選提示 2、特殊設(shè)備尺寸設(shè)備 3、科晶實(shí)驗(yàn)室邀請(qǐng)?zhí)崾?/span> 4、配件妥善保管提示 |
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| 產(chǎn)品特點(diǎn) | ? 射頻電源可實(shí)現(xiàn)等離子增強(qiáng)從而顯著降低實(shí)驗(yàn)溫度； ? 質(zhì)子流量計(jì)控制系統(tǒng)可以對(duì)氣體的輸送進(jìn)行精確的調(diào)控； ? 收放卷機(jī)構(gòu)別放置于管式爐兩端真空腔體內(nèi)，可保證銅箔在密閉的生長(zhǎng)條件下進(jìn)行運(yùn)動(dòng)，可有效的實(shí)現(xiàn)大規(guī)模制備。 |
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| 加熱爐參數(shù) | ? 最高溫度：1100oC（<30min）；連續(xù)工作溫度：< 1000℃； ? 工作電源：AC 220V，50/60Hz，功率：3KW； ? 兩個(gè)PID溫度控制器以及50段可編程溫控系統(tǒng)，控溫精度：±1℃； ? 爐膛保溫材料采用高純氧化鋁多晶纖維，并且內(nèi)爐膛表面涂有美國進(jìn)口的高溫氧化鋁涂層，可以提高加熱效率，反射率及延長(zhǎng)儀器的使用壽命。
更多參數(shù)請(qǐng)聯(lián)系科晶銷售部 |
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| 卷對(duì)卷銅箔收放密封裝置 | ? 采用卷對(duì)卷收放卷機(jī)構(gòu)進(jìn)行銅箔的移動(dòng)及進(jìn)出料，銅箔的移動(dòng)速度為1-400mm/min可調(diào)； ? 配置一卷約5 kg的銅箔，銅箔寬度：65mm，銅箔厚度0.025mm； ? 收卷機(jī)構(gòu)與管式爐之間設(shè)置冷卻裝置用于銅箔的快速冷卻； ? 可根據(jù)要求提供特定的卷繞速度控制器及密封法蘭。
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| 石英氣體噴嘴 | ? 石英氣體噴嘴可將反應(yīng)氣體與緩沖清洗氣體分開通入，有效地減少副反應(yīng)發(fā)生，實(shí)現(xiàn)高端CVD工藝，如局部控制前體濃度化學(xué)氣相沉積工藝或單晶二維材料薄膜的生長(zhǎng)工藝等。
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| 射頻電源 | ? 科晶公司現(xiàn)有不同功率的射頻電源可供選擇，以滿足不同實(shí)驗(yàn)條件的需求。
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| 真空系統(tǒng) | ? 采用TRP-12的雙旋真空泵； ? KF25卡箍及波紋管用于連接管式爐與真空泵； ? 真空度可達(dá)10-2Torr。
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| 供氣系統(tǒng) | ? 四通道質(zhì)子流量計(jì)控制系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)氣體流量的精確控制（精確度：±0.02%）； ? 流量范圍:
? 電壓：208-240V， AC， 50/60Hz； ? 氣體進(jìn)出口配件：6mm OD的聚四氟管或不銹鋼管； ? 不銹鋼針閥用于手動(dòng)控制氣體進(jìn)出； ? PLC觸摸屏可以簡(jiǎn)便地進(jìn)行氣體流量設(shè)置。
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| 產(chǎn)品尺寸和重量 | ? 整體尺寸：2400 mm L ′600mmW′1250mm H； ? 凈重：260kg； ? 運(yùn)輸重量：500 kg。
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| 認(rèn)證 | ? 如您另外付費(fèi)，我們可以保證單臺(tái)儀器的TUV(UL61010)或CSA 認(rèn)證
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| 承諾 | ? 一年質(zhì)保期，終身維護(hù)（不包括爐管、硅膠密封圈和加熱元件） |
科晶應(yīng)用技術(shù)實(shí)驗(yàn)室利用PECVD在不同功率（75W、150W、300W）條件下沉積Sb2Se3薄膜，實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下：
組別 | SEM結(jié)果 | 元素百分比 | ||
Sb(%) | Se(%) | |||
未經(jīng)任何處理的樣品 |
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| 40.01 | 59.99 |
75W等離子體處理5 min |
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| 41.04 | 58.96 |
150 W等離子體處理5 min |
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| 41.64 | 58.36 |
300 W等離子體處理5 min |
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| 41.86 | 58.14 |
小結(jié):
（1）等離子體能改變Sb2Se3薄膜的形貌，同時(shí)改變Sb2Se3的組成；
（2）隨著射頻電源功率的增加，Sb2Se3中的Se百分含量降低。
組別 | SEM結(jié)果 | 元素百分比 | ||
Sb(%) | Se(%) | |||
10W、3Pa條件下沉積Sb2Se3 |
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| 40.01 | 59.99 |
75W、133Pa條件下沉積Sb2Se3 |
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| 70.28 | 29.72 |
75W、3Pa且補(bǔ)充0.1g Se粉沉積Sb2Se3 |
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| 43.13 | 56.87 |
75W、3Pa且補(bǔ)充0.02g SnSe2粉末（10%質(zhì)量比Sb2Se3）沉積Sb2Se3 |
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| Sn: 22.78 Sb: 25.77 | 51.44 |
小結(jié):
（1）低功率等離子體條件下可得到近原子比的Sb2Se3；
（2）高壓條件下可得到富Sb的Sb2Se3薄膜；
（3）添加Se會(huì)破壞PECVD沉積的Sb2Se3的原子比；
（4）當(dāng)SnSe2質(zhì)量比為10%時(shí)，可以得到Sb：Sn摩爾比接近于1的薄膜，該方法適用于摻雜。
XRD結(jié)果
警示 | ? 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02 MPa； ? 由于氣瓶?jī)?nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時(shí)，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa，使用時(shí)會(huì)更加精確安全； ? 石英管的長(zhǎng)時(shí)間使用溫度＜1100℃； ? 當(dāng)爐體溫度高于1000℃時(shí)，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng)，保持在常壓狀態(tài)； ? 射頻電源工作時(shí)，請(qǐng)勿觸碰。 |
應(yīng)用技術(shù)提示 | ? 通入爐內(nèi)氣體流量需小于200 sccm，以避免冷的大氣流對(duì)加熱石英管造成沖擊； ? 加熱時(shí)，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥。若需要關(guān)閉氣閥對(duì)樣品加熱，則需時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02 MPa，需立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂、法蘭飛出等）； ? 射頻電源在低氣壓、低功率條件下起輝。 |
防腐型真空表 （可選） | ? 輸入電源24V，1A DC（配有電壓轉(zhuǎn)換器）； ? 測(cè)量范圍3.8′10-5-1125 Torr； ? 數(shù)據(jù)顯示：數(shù)顯（屏幕尺寸為20′14mm），其單位為torr ? 連接：1/8"NPT 接頭 ? 產(chǎn)品尺寸 46mm×28mm×126mm ( L′W′ H)
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石英管 | ? 石英管尺寸：F80′1400mm
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壓力恒定控制系統(tǒng) | 壓力恒定控制范圍（進(jìn)氣氣氛為氬氣）： 760mtorr（100Pa）—225torr（30000Pa）（按照進(jìn)氣量為500sccm） 600mtorr（80Pa）—200torr（26660Pa）（按照進(jìn)氣量為300sccm） 300mtorr（40Pa）—185torr（24660Pa）（按照進(jìn)氣量為100sccm） 180mtorr（24Pa）—100torr（13333Pa）（按照進(jìn)氣量為50sccm） 壓力恒定控制精度：180mtorr—2.5torr（±5%） ＞2.5torr—10torr（±4%） ＞10 torr—200torr（±2%）
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溫儀表 （可選） | ? 單回路、雙回路和三回路控制模式； ? 每個(gè)回路可實(shí)現(xiàn)雙輸入，雙保護(hù)； ? 各回路可PID、串級(jí)、比率等回路控制； ? 數(shù)碼顯示，配備7個(gè)按鍵，可用于進(jìn)行各控制回路的切換和參數(shù)修改； ? 最多可存儲(chǔ)50個(gè)程序，每個(gè)程序最多可有3個(gè)不同的設(shè)定值（即3條不同的曲線），最多可設(shè)置500段升降溫程序； ? 通訊方式多樣，Modbus/Profibus DP/DeviceNet/EI-Bisync/RS485通訊接口，可連接PC進(jìn)行遠(yuǎn)程控制。
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真空系統(tǒng) （可選） | ? 科晶公司提供一系列低真空、高真空及進(jìn)口高真空設(shè)備，以滿足在不同真空條件下的實(shí)驗(yàn)需求。
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供氣系統(tǒng) （可選） | ? 科晶公司提供各種通道浮子、質(zhì)子流量計(jì)可供選擇，以實(shí)現(xiàn)氣體流量的精確控制。
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