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LGS硅酸鎵鑭晶體基片
產(chǎn)品概述:
可用于制造壓電和電光器件,它具有高溫壓電性能。機電耦合系數(shù)是石英的3倍,可用于制造高溫傳感器和高功率、高重復(fù)率電光Q開關(guān)
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產(chǎn)品名稱

LGS硅酸鎵鑭晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):                 

三方結(jié)構(gòu)

晶格常數(shù):

a=8.170 ?   c=5.099 ?          

密度:

5.75 g/cm3

熔點:

1470g/cm3

硬度(Mohs):

5.5~6.5

生長方法:

提拉法

機電耦合系數(shù)有

0.28~0.46

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:                 

<100>  <001>                 

定位:

X-cut

常規(guī)尺寸:

10x10x0.5mm

拋光情況:

雙拋

表面粗糙度:

<5A

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝

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