產(chǎn)品名稱 | 1100℃真空箱式爐(配7.6L腔室,直通法蘭)-VBF-1200X-H8 |
產(chǎn)品提示 | |
工作原理 | · 加熱爐利用電流使?fàn)t內(nèi)加熱元件發(fā)熱,采用固態(tài)繼電器進行電路控制,采用溫度傳感器(熱電偶)檢測爐內(nèi)溫度,熱電偶檢測到的溫度反饋到控溫儀表。 · 智能控溫儀可設(shè)置升溫過程(升溫速度),儀表采集到熱電偶反饋的爐內(nèi)溫度信號,會通過PID調(diào)節(jié)輸出合適的電壓信號,固態(tài)繼電器接收到儀表的輸出信號, 控制自身的通斷時間從而達到調(diào)節(jié)爐內(nèi)溫度穩(wěn)定的目的,使得高溫爐按照控溫儀設(shè)置好的升溫過程進行升溫。 |
產(chǎn)品特點 | · 超大口徑的石英爐膛和真空密封法蘭系統(tǒng),既可以作為箱式爐對大批量樣品進行燒結(jié),同時也可以在流動氣氛和真空狀態(tài)下快速加熱樣品。 · 爐膛采用高純氧化鋁聚輕材料,很大程度減少能量損失,內(nèi)爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率,同時也可以延長儀器的使用壽命。 |
基本參數(shù) | · 額定功率:4KW · 電壓:AC 220V, 50Hz · 加熱區(qū)尺寸:Φ240*210mm ·最高使用溫度:1100度(≤30min) 工作溫度:1000度 ·建議升溫速率:≦10℃/min ·加熱元件:電阻絲(摻鉬鐵鉻鋁合金)
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腔體尺寸 | · 石英腔體Φ200×340mm |
石英樣品平臺 | · 標(biāo)配一個8″的石英樣品平臺,將樣品放置在平臺上進行退火 |
溫控系統(tǒng) | · 智能控溫儀 · 50段程序控溫 · 熱電偶采用K型熱電偶 · 控溫精度:±1℃ · 可選配電腦溫度控制軟件 |
產(chǎn)品在線展示 | |
外形尺寸 | 560長*600寬*710mm高 |
真空法蘭 | · 帶兩個快速連接端口的不銹鋼水冷法蘭組件。所有密封件均由硅膠O型圈密封 · 一個機械壓力表安裝在法蘭上,范圍-0.1 到 0.15Mpa(可選配數(shù)顯真空計) · 進氣口為G1/4不銹鋼氣嘴接頭、出氣口為KF25的真空接口,設(shè)備可以在流動氣氛和真空狀態(tài)下快速加熱樣品 · 標(biāo)配1 個鉆孔的泡沫耐火砌塊,可選配K型熱電偶通過法蘭上的快速鏈接端口進入爐膛內(nèi)檢測設(shè)備溫區(qū)的均勻性 · 真空度:10-2torr(用機械泵) · 如您想獲得更高的真空度(<10-5torr)可選國產(chǎn)或進口高真空機組 |
水冷設(shè)備(選配) | · 型號:CW-3000 · 工作電壓: AC 208-240V, 50/60Hz · 工作電流: 0.9A · 出入口 外徑: Φ 10mm銅咀 · 水流速率: 10 L / min · 水箱容量: 9 L · 設(shè)備尺寸: 470 * 270 * 370 mm(L x W x H) |
重量 | 約60Kg |
質(zhì)保 | 1年(不包含密封圈、石英管、加熱元件等損耗件) |
案例一
科晶實驗室采用VBF-1200X-H8設(shè)備對銅環(huán)進行氬氣保護下退火,結(jié)果如下:
實驗設(shè)備連接 | 退火前 | 退火后 | 結(jié)果分析 |
(1)退火后金屬光澤明顯; (2)平坦載物平臺有利于保證銅環(huán)在退火過程中不發(fā)生形變。 |
若有疑問或需要更多詳細(xì)數(shù)據(jù)請聯(lián)系科晶實驗室
案例二
通過匹配能帶與兩個半導(dǎo)體建立異質(zhì)結(jié)可以極大地提高光催化性能。因此,一種新的利用原位熱液沉淀法合成了In2O3/Ag2CO3s方案異質(zhì)結(jié)。通過DFT計算證明,s型異質(zhì)結(jié)In2O3/Ag2CO3系統(tǒng)中光致電子的傳輸機制如下,內(nèi)部電場(IEF)由In2O3/Ag2CO3的s型異質(zhì)結(jié)驅(qū)動了光源電子fr由碳酸銀導(dǎo)帶直接轉(zhuǎn)移到In2O3價帶,可使光致電子空穴對的有效分離。In2O3/Ag2CO3的光致發(fā)光壽命大大延長到8.42ns,而空穴和羥基自由基是最重要的活性自由基。在可見光下,Ag2CO3的氣色結(jié)對左氧氟沙星的光降解率(86.1%)和礦化能力(46.2%)最高。
部分檢測數(shù)據(jù)如下:
應(yīng)用技術(shù)提示 | · 此款設(shè)備嚴(yán)禁正壓使用。 · 使用此款設(shè)備進行高溫?zé)Y(jié),必須連接水冷機才可進行操作,以避免高溫密封硅膠圈融化。 · 設(shè)備可在加熱之前將腔體抽成真空狀態(tài),保壓,在整個加熱過程中時腔體保持真空狀態(tài)(此過程溫度不可高于1000℃)。 · 常壓下設(shè)備加熱,需將出氣閥打開,防止加熱時氣體膨脹壓力升高而造成危險。 · 在通入流動性氣氛的情況下,需將出氣閥打開,調(diào)節(jié)流量,保證腔室中的壓力始終維持在0MPa處。 · 必須在氣瓶上安裝減壓閥,減壓閥的壓力限制在0.02MPa以內(nèi),以確保安全運行。 · 降溫時請利用程序降溫,不建議直接按“STOP”鍵降溫,設(shè)備溫度在500度以上時不要直接關(guān)掉設(shè)備電源,防止出現(xiàn)安全問題。 |
注意事項 | · 設(shè)備在加熱之前將腔室抽成真空狀態(tài),保壓,在整個加熱過程中使腔室保持真空狀態(tài); · 設(shè)備在常壓下加熱,需將出氣閥打開,防止加熱時氣體膨脹壓力升高而造成危險; · 在通入流動性氣氛的情況下,需將出氣閥打開,調(diào)節(jié)流量,保證腔室中的壓力始終維持在0MPa處 · 設(shè)備使用的氣瓶需安裝減壓閥,減壓閥的壓力限制在0.02MPa以內(nèi),氣瓶靠墻放置并固定住 · 不得通氯化物、硫化物等易腐蝕的氣體,否則容易損壞法蘭,波管(選配)等不銹鋼材質(zhì)的配件,由于通入腐蝕性氣體而造成的設(shè)備損壞公司售后維修會收取相應(yīng)的費用 · 設(shè)備使用水冷時,冷卻水的壓力要≤0.2MPa |
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