設備名稱 | 1100度小型真空/氣氛快速升降溫RTP爐--OTF-1200X-4-RTP (2023.5.10--科晶實驗室審核) |
爐膛結構及特點 | ·雙層鋼制外殼,風冷,使爐表面溫度低于60℃。 ·高純度纖維狀氧化鋁絕緣,最大限度地節(jié)約能源。 ·帶聯(lián)鎖保護的分體式蓋子,如果蓋子在熔爐加熱過程中打開,則切斷電源。 ·超大管徑內(nèi)徑φ100mm,外徑φ110mm。 ·最高溫度可達1100℃。 ·法蘭上安裝有滑軌可直接推拉操作。 |
工作溫度 | ·最大1100oC,持續(xù)時間<10分鐘 ·最大1000oC,持續(xù)<20分鐘(注意:如果運行時間更長,爐殼將>100oC,必須使用風扇從外部冷卻爐殼) ·最大800oC,持續(xù)時間<120分鐘 ·連續(xù)溫度最高600oC |
基本參數(shù) | ·設備電源:AC380V 50/60HZ 最大功率12KW ·法蘭:KF-25D型不銹鋼高真空法蘭 ·加熱區(qū)長度:190mm ·控溫精度:+/-1℃(歐陸表型溫控儀表可達0.1℃) ·熱電偶:可插入式的鎧裝熱電偶,進口K型熱偶, 緊貼在放樣品的AlN片下 ·最大功率:12KW ·循環(huán)水流量:0.5 m3/h ·標配流量計量程范圍:16-160 ml/min ·可選配測量范圍為10-4至1000托的數(shù)字真空計
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加熱元件 | ·短波紅外燈管 |
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溫控系統(tǒng) | 包括858溫度控制器。 比例-積分-微分控制(PID控制)和自動調(diào)諧功能 50個分段,編程有斜坡、冷卻和停留步驟 內(nèi)置超溫報警和熱電偶故障報警 +/-1oC溫度控制精度 默認DB9 PC通信端口 |
石英管和樣品架 | ·石英管尺寸:外徑4.33英寸x內(nèi)徑4.05英寸x長度16.2英寸。 包括一個直徑為3“的AlN樣品支架,用于對直徑不超過3”的樣品進行退火。AlN具有非常高的熱導率, 這在樣品區(qū)域中提供了最佳的溫度均勻性。樣品支架可從法蘭上拆卸,以便將RTP爐用于其他用途 ·可選:3英寸外徑厚的石墨基板可作為AIN板的替代品。 ·可選:石墨坩堝:外徑87 mm x內(nèi)徑71 mm x高度12 mm,帶蓋,設計用于3“樣品架,也可以改裝為RTE、CSS或HPCVD爐,帶有涂有SiC的石墨坩堝。 |
真空法蘭 | ·KF-D25高真空法蘭由不銹鋼制成,具有雙重高溫。硅膠O型圈、針閥和水冷套。 ·它只需要在溫度>600攝氏度的長時間運行中進行水冷。 ·循環(huán)水流量:0.5 m3/h。 ·滑出式法蘭提供了一種更簡單的方式來裝載、卸載樣品和其他所需的特定過程。 ·插入式熱電偶,實現(xiàn)精確測量。 |
真空泵(可選) | · 型號:VRD-8 · 抽氣速率:2.2 L/S · 電機功率:370 W · 極限壓強:5×10-1Pa(不帶負載) · 為了得到更高的真空度,可以選購我公司的其他高真空系統(tǒng) |
水冷(可選) | · 型號:KJ-5000 · 工作電壓:AC 220V 50HZ · 工作電流:1.4-2.1A,制冷量:2361Btu/h · 壓縮機功率:300W,水箱容量:6L · 最大流量:16L/min,凈重:24 Kg |
真空壓力和氣體接頭 | ·使用帶有KF25適配器的機械真空泵,壓力可以達到50以上 ·通過帶有KF25適配器的分子泵,壓力可以達到10-4ttor |
尺寸 | 法蘭閉合:1350mm(長)x 330mm(寬)x 590mm(高) 法蘭開口:1350mm(長)x 520mm(寬)x 740mm(高) ·爐膛尺寸:Φ180X190 |
重量 | 70Kg |
認證 | ·此產(chǎn)品已通過CE認證 證書編號: M.2021.206.C67997 ·若客戶出認證費用,本公司保證單臺設備通過德國TUV認證或CAS認證 |
保修 | 一年保修,終身技術支持。 特別提示:1.耗材部分如加熱元件,石英管,樣品坩 堝等不包含在內(nèi)。 2.因使用腐蝕性氣體和 酸性氣體造成的損害不在保修范圍內(nèi)。 |
可選模塊 | ·您可以將RTP爐與高真空站或氣體輸送系統(tǒng)結合起來,作為真空爐或CVD系統(tǒng)。 ·為了實現(xiàn)快速冷卻速率(<10oC/秒),您可以選擇帶滑軌的RTP爐。 ·您可以命令壓力控制模塊(點擊右下方的圖片)使腔室保持恒定壓力 |
科晶實驗室對OTF-1200X-4-RTP設備的追溫溫差和恒溫精度做了一系列實驗研究,得出以下經(jīng)驗以供參考:
1)升溫速率越慢,控溫精度越高,升溫速率越快,追溫溫差越大。
升溫速率 | 追溫溫差 | 控溫精度(恒溫精度) |
1℃/s | < 5℃ | +-0.5℃ |
2℃/s | < 10℃ | +-1℃ |
50℃/s | 溫差較大,但30s內(nèi)恒溫 | +-1℃ |
2)570℃以下降溫不可控。
降溫速率 | 可控溫度情況(參考) |
40℃/min | 570℃以上,可控制降溫 |
60℃/min | 600℃以上,可控制降溫且誤差<5℃,600℃-570℃,誤差<10℃ |
實驗名稱:RTP快速升溫爐的升溫速度與最終溫度間的可調(diào)關系
實驗目的:1、升溫速度能否保持恒定;
2、恒溫波動是否小于1℃;
3、實現(xiàn)目的:保持一定的升溫速度,待到達恒溫溫度時,升溫速度減緩的溫度點越接近恒溫溫度越好。
適用領域:鐵磁性材料的制備
實驗結果:
100℃/min,到400℃ | 斜率基本恒定;沖溫<1℃;升速減緩點在398℃ | |
100℃/min,到700℃ | 斜率基本恒定;沖溫<1℃;升速減緩點在698℃ | |
400℃/min,到400℃ | 斜率基本恒定;沖溫≤1℃;升速減緩點在395℃ | |
400℃/min,到700℃ | 斜率基本恒定;沖溫≤1℃;升速減緩點在395℃ | |
300℃/min,到700℃ | 斜率基本恒定;沖溫≤1℃;升速減緩點在795℃ | |
600℃/min,到700℃ | 斜率基本恒定;沖溫≤2℃;升速減緩點在790℃ | |
以上數(shù)據(jù)總結,存在調(diào)試差異,具體詳情請聯(lián)系合肥科晶實驗室 |
應用提示 | ·由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高,所以向爐管內(nèi)通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥。 ·進入爐管的氣體流量需小于200sccm,以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊。 ·石英管的長時間使用溫度為600℃。 ·此爐可以增加鍍SiC的石墨坩堝改造成RTE(快速熱蒸發(fā))爐(可查看下方的圖片自己制備RTE) ·在進行化學氣相沉積后,石墨烯可從金屬催化劑轉移到另一個基片襯底上,此法可被廣泛應用制備二維材料。通過CVD法生長的石墨烯,表面平整度高且無殘渣。 |
警示 | ·當爐體溫度高于900℃時,爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當,保持在常壓狀態(tài)。 ·爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa。 |
相關可選 | ·樣品架可選:3"O.D的石墨襯底替代AlN陶瓷片。(圖1) ·可選:將含坩堝蓋蓋規(guī)格為87 O.D×71 I.D×12 H mm的石墨坩堝設計三個坩堝架,則可被改造成一個 RTE,CSS或HPCVD爐,另外石墨坩堝表面涂有SiC涂層。(圖2) ·真空系統(tǒng):用機械泵真空度達 50 mtorr; 用分子泵真空度可達 10E-4 torr。(圖3-5) ·可選購合肥科晶的循環(huán)水冷機配套使用。(圖6) ·多種供氣系統(tǒng)可選。(圖7-8) ·可選配其他數(shù)字真空計。(圖9-11) ·建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全。(請點擊這 里學習如何安裝減壓閥)。(圖12) ·可選購壓力控制模塊來監(jiān)控并保持工作腔室壓力穩(wěn)定。(圖13) 圖1 圖2 圖3 圖4 圖5 圖6 圖7 圖8 圖9 圖10 圖11 圖12 圖13 |
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