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1100度小型真空/氣氛快速升降溫RTP爐(載物臺:4英寸 升溫速度:50度/S)
關鍵字:
4英寸、最大升溫速率50度/秒
型號:
OTF-1200X-4-RTP
產(chǎn)品概述:
這是一款緊湊型快速熱處理管式爐,配有4英寸內(nèi)徑的石英管和真空法蘭,專為直徑3英寸內(nèi)的半導體晶片或太陽能電池退火而設計。它由短波紅外燈管加熱,最大加熱速率為50oC/秒。爐內(nèi)內(nèi)置30段精度為+/-1oC的溫度控制器,可在不同步驟進行加熱、恒溫和冷卻。包括RS485端口和控制軟件,可以在運行的同時通過PC監(jiān)控溫度分布。該爐也可以改裝為RTE、CSS或HPCVD爐(具體見下方應用說明)
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技術參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
設備名稱

1100度小型真空/氣氛快速升降溫RTP爐--OTF-1200X-4-RTP (2023.5.10--科晶實驗室審核)


爐膛結構及特點

·雙層鋼制外殼,風冷,使爐表面溫度低于60

·高純度纖維狀氧化鋁絕緣,最大限度地節(jié)約能源。

·帶聯(lián)鎖保護的分體式蓋子,如果蓋子在熔爐加熱過程中打開,則切斷電源。

·超大管徑內(nèi)徑φ100mm,外徑φ110mm。

·最高溫度可達1100℃。

·法蘭上安裝有滑軌可直接推拉操作。

坩堝可移動.gif C-_Documents-and-Settings_Administrator_桌面_追溫控溫精度1.gif

工作溫度

·最大1100oC,持續(xù)時間<10分鐘

·最大1000oC,持續(xù)<20分鐘(注意:如果運行時間更長,爐殼將>100oC,必須使用風扇從外部冷卻爐殼)

·最大800oC,持續(xù)時間<120分鐘

·連續(xù)溫度最高600oC

基本參數(shù)

·設備電源:AC380V  50/60HZ  最大功率12KW

·法蘭:KF-25D型不銹鋼高真空法蘭            

·加熱區(qū)長度:190mm                   

·控溫精度:+/-1℃(歐陸表型溫控儀表可達0.1℃)               

·熱電偶:可插入式的鎧裝熱電偶,進口K型熱偶, 緊貼在放樣品的AlN片下

·最大功率:12KW       

·循環(huán)水流量:0.5 m3/h

·標配流量計量程范圍:16-160 ml/min

·可選配測量范圍為10-4至1000托的數(shù)字真空計 

     

更多參數(shù)請聯(lián)系科晶銷售部

加熱元件

·短波紅外燈管


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相關視頻

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       操作視頻            展示視頻

溫控系統(tǒng)

包括858溫度控制器。

比例-積分-微分控制(PID控制)和自動調(diào)諧功能

50個分段,編程有斜坡、冷卻和停留步驟

內(nèi)置超溫報警和熱電偶故障報警

+/-1oC溫度控制精度

默認DB9 PC通信端口

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石英管和樣品架

·石英管尺寸:外徑4.33英寸x內(nèi)徑4.05英寸x長度16.2英寸。

包括一個直徑為3“的AlN樣品支架,用于對直徑不超過3”的樣品進行退火。AlN具有非常高的熱導率,

這在樣品區(qū)域中提供了最佳的溫度均勻性。樣品支架可從法蘭上拆卸,以便將RTP爐用于其他用途

·可選:3英寸外徑厚的石墨基板可作為AIN板的替代品。

·可選:石墨坩堝:外徑87 mm x內(nèi)徑71 mm x高度12 mm,帶蓋,設計用于3“樣品架,也可以改裝為RTE、CSS或HPCVD爐,帶有涂有SiC的石墨坩堝。

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真空法蘭

·KF-D25高真空法蘭由不銹鋼制成,具有雙重高溫。硅膠O型圈、針閥和水冷套。

·它只需要在溫度>600攝氏度的長時間運行中進行水冷。

·循環(huán)水流量:0.5 m3/h。

·滑出式法蘭提供了一種更簡單的方式來裝載、卸載樣品和其他所需的特定過程。

·插入式熱電偶,實現(xiàn)精確測量。


真空泵(可選)

· 型號:VRD-8

· 抽氣速率:2.2 L/S

· 電機功率:370 W

· 極限壓強:5×10-1Pa(不帶負載)

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· 為了得到更高的真空度,可以選購我公司的其他高真空系統(tǒng)


水冷(可選)

· 型號:KJ-5000

· 工作電壓:AC 220V 50HZ

· 工作電流:1.4-2.1A,制冷量:2361Btu/h

· 壓縮機功率:300W,水箱容量:6L

· 最大流量:16L/min,凈重:24 Kg

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真空壓力和氣體接頭

·使用帶有KF25適配器的機械真空泵,壓力可以達到50以上

·通過帶有KF25適配器的分子泵,壓力可以達到10-4ttor


尺寸

法蘭閉合:1350mm(長)x 330mm(寬)x 590mm(高)

法蘭開口:1350mm(長)x 520mm(寬)x 740mm(高)

·爐膛尺寸:Φ180X190


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重量

70Kg


認證

·此產(chǎn)品已通過CE認證

  證書編號: M.2021.206.C67997

·若客戶出認證費用,本公司保證單臺設備通過德國TUV認證或CAS認證


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保修

一年保修,終身技術支持。

 特別提示:1.耗材部分如加熱元件,石英管,樣品坩 堝等不包含在內(nèi)。

          2.因使用腐蝕性氣體和 酸性氣體造成的損害不在保修范圍內(nèi)。


可選模塊

·您可以將RTP爐與高真空站或氣體輸送系統(tǒng)結合起來,作為真空爐或CVD系統(tǒng)。

·為了實現(xiàn)快速冷卻速率(<10oC/秒),您可以選擇帶滑軌的RTP爐。

·您可以命令壓力控制模塊(點擊右下方的圖片)使腔室保持恒定壓力

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科晶實驗室對OTF-1200X-4-RTP設備的追溫溫差和恒溫精度做了一系列實驗研究,得出以下經(jīng)驗以供參考:


1)升溫速率越慢,控溫精度越高,升溫速率越快,追溫溫差越大。

升溫速率

追溫溫差

控溫精度恒溫精度

1℃/s

< 5℃

+-0.5℃

2℃/s

< 10℃

+-1℃

50℃/s

溫差較大,但30s內(nèi)恒溫

+-1℃



2)570℃以下降溫不可控。

降溫速率

可控溫度情況(參考)

40℃/min

570℃以上,可控制降溫

60℃/min

600℃以上,可控制降溫且誤差<5℃,600℃-570℃,誤差<10℃





實驗名稱:RTP快速升溫爐的升溫速度與最終溫度間的可調(diào)關系

實驗目的:1、升溫速度能否保持恒定;

2、恒溫波動是否小于1℃;

3、實現(xiàn)目的:保持一定的升溫速度,待到達恒溫溫度時,升溫速度減緩的溫度點越接近恒溫溫度越好。

適用領域:鐵磁性材料的制備

實驗結果:

100℃/min,到400℃

斜率基本恒定;沖溫<1℃;升速減緩點在398℃

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100℃/min,到700℃

斜率基本恒定;沖溫<1℃;升速減緩點在698℃

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400℃/min,到400℃

斜率基本恒定;沖溫≤1℃;升速減緩點在395℃

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400℃/min,到700℃

斜率基本恒定;沖溫≤1℃;升速減緩點在395℃

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300℃/min,到700℃

斜率基本恒定;沖溫≤1℃;升速減緩點在795℃

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600℃/min,到700℃

斜率基本恒定;沖溫≤2℃;升速減緩點在790℃

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以上數(shù)據(jù)總結,存在調(diào)試差異,具體詳情請聯(lián)系合肥科晶實驗室


應用提示

·由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高,所以向爐管內(nèi)通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥。

·進入爐管的氣體流量需小于200sccm,以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊。

·石英管的長時間使用溫度為600℃。

·此爐可以增加鍍SiC的石墨坩堝改造成RTE(快速熱蒸發(fā))爐(可查看下方的圖片自己制備RTE)

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·在進行化學氣相沉積后,石墨烯可從金屬催化劑轉移到另一個基片襯底上,此法可被廣泛應用制備二維材料。通過CVD法生長的石墨烯,表面平整度高且無殘渣。

警示

·當爐體溫度高于900℃時,爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當,保持在常壓狀態(tài)。

·爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa。


相關可選

·樣品架可選:3"O.D的石墨襯底替代AlN陶瓷片。(圖1)

·可選:將含坩堝蓋蓋規(guī)格為87 O.D×71 I.D×12 H mm的石墨坩堝設計三個坩堝架,則可被改造成一個    RTE,CSS或HPCVD爐,另外石墨坩堝表面涂有SiC涂層。(圖2)

·真空系統(tǒng):用機械泵真空度達 50 mtorr;

 用分子泵真空度可達 10E-4 torr。(圖3-5)

·可選購合肥科晶的循環(huán)水冷機配套使用。(圖6)

·多種供氣系統(tǒng)可選。(圖7-8)

·可選配其他數(shù)字真空計。(圖9-11)

·建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全。(請點擊這

 里學習如何安裝減壓閥)。(圖12)

·可選購壓力控制模塊來監(jiān)控并保持工作腔室壓力穩(wěn)定。(圖13)

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        圖1                    圖2                   圖3                    圖4


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        圖5                    圖6                   圖7                    圖8


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       圖9                    圖10                  圖11                   圖12


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圖13


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