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LaSrAlO4晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
- 鋁酸鍶鑭晶體從熔點(diǎn)溫度直至低溫下均無(wú)孿晶及相變，與高溫超導(dǎo)體YBCO具有相同的結(jié)構(gòu)，<001>面與其它襯底相比與YBCO<001>具有適中的晶格失配（2.5~3.5%），同時(shí)該晶體的熱膨脹系數(shù)比其它鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的晶體低，可以在較低的溫度下沉積薄膜從而改善晶格失配及減少應(yīng)力。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱(chēng)
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LaSrAlO4晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 四方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=3.756? c=12.636? | 密度： | 5.92g/cm3 | 熔點(diǎn)： | 1650°C | 介電常數(shù)： | 16.8 | 生長(zhǎng)方法： | 提拉法 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | （011）、（100）、（110） | 晶向公差： | ±0.5°內(nèi) | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm | 解離情況： | 沿著（001）面易解離 | 拋光面粗糙度： | Ra<5A | 注：尺寸及方向可按照客戶(hù)要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
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