- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
氟化鑭(LaF3)晶體基片
- 產(chǎn)品概述:
- 氟化鑭廣泛應(yīng)用于紅外窗口和紫外窗口,棱鏡基片。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱
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LaF3晶體基片 |
技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu): | 三方晶系 | 晶格常數(shù): | a=7.190 ? c=7.367 ? | 純度: | 99.99% | 密度: | 5.936 g/cm3 | 硬度: | 4.5 Mohs | 熔點(diǎn): | 1493℃ | 生長方向: | <0001> | 熱膨脹系數(shù): | 11.9 x10-6/ K // c 15.8 x10-6/ K // a | 熱導(dǎo)率: | 5.1 W / m.k @ 300K | 光傳輸范圍: | Up to 10.5 micron wavelength 折射率 no : 1.63 ne: 1.597 | 生長方法: | 提拉法 |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向: | <10-10>、<11-20>、<0001> | 常規(guī)尺寸: | 10x10x0.5mm | 拋光情況: | 單拋、雙拋 |
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標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝 |
晶體缺陷
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人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
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