- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 立方 a =5.4505 ? | 生長方法: | 提拉法 | 密度: | 4.13 g/cm3 | 熔點: | 1480 ℃ | 熱膨脹系數(shù)： | 5.3 x10-6 | 摻雜物質(zhì)： | 摻S ；不摻雜 | 熱傳導率： | 2~8 x1017/cm3 ；4~ 6 x1016/cm3 | 電阻率W.cm： | ~0.03 ；~0.3 | EPD (cm-2 )： | < 3x10E5 ；< 3x10E5 |
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| 常規(guī)尺寸
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常規(guī)晶向：<111>；常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm；拋光情況：單拋或雙拋; 注：可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。 |
| 備注
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1000級超凈室100級超凈袋 |
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