- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
氧化鋅(ZnO)晶體基片
- 產(chǎn)品概述:
- 氧化鋅(ZnO)晶體基片廣泛應(yīng)用于GaN(藍(lán)光 LED)外延基片,寬波段連接器件等領(lǐng)域.
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu) | 六方 P63mc;a=3.325 ? c=5.213? | 熔點(diǎn)(℃) | 1975 | 密度(g/cm3) | 5.605 | 熱容(J /g.k) | 0.125 | 熱膨脹系數(shù)(10-6/K) | 6.5// a ;3.7// c | 熱導(dǎo)率( W /m.kat 300K ) | 30 | 透過(guò)波長(zhǎng) (μm) | 0.4 ~ 0.6 | 折射率 | 1.922 (o) ;1.936 (e) |
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產(chǎn)品規(guī)格
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生長(zhǎng)方法:水熱法; 常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm、10x10x1.0mm、20x20x0.5mm、20x20x1.0mm; 常規(guī)晶向:<0001>、<11-20>、<10-10>; 表面粗糙度Ra:<5A 注:也可按客戶需求定制特殊的方向和尺寸。 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋 |
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