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YVO4晶體基片
產(chǎn)品概述:
YVO4晶體是一種性能優(yōu)良的雙折射晶體材料,是光通訊無源器件(隔離器、連接器、光波分復(fù)用器)的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,在國際市場上有著巨大的需求量。我公司能提供大量優(yōu)質(zhì)的YVO4晶體棒及各種加工鍍膜成品。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱

YVO4 晶體基片


技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):

四方晶系

晶格常數(shù):

a=7.12 ?  c=6.29? 

密度:

4.22 g/cm3

晶體純度:

99.99%

熔點:

1825℃

莫氏硬度:

5

潮解性:

不潮解

熱膨脹系數(shù):

4.43x10-6//a; 11.37x10-6//c

透過范圍:

0.4~5um

熱導(dǎo)率:

A 軸= 5.32 W/(m.k);C 軸= 5.10 W/(m.K)

熱光系數(shù):

dna/dT=8.5x10-6/K;dnc/dT=3.0x10-6/K

折射率、雙折射及45°的離散角ρ   

No=1.9929,ne=2.2154,△n=0.2225,ρ=6.04o at 0.63um      
No=1.9500,ne=2.1554,△n=0.2054,ρ=5.72o at 1.30um
No=1.9447,ne=2.1486,△n=0.2039,ρ=5.69o at 1.55um

生長方式:

提拉法


產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:             

<001>、<100>、<110>

常規(guī)尺寸:

10x5x0.5mm,5x5x0.5mm,dia1inch x0.5mm          

拋光情況:

單拋、雙拋、細磨

晶體粗糙度:

<5A

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。



晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。


標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝


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