- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
Si-Ge晶體
- 產(chǎn)品概述:
- 隨著微電子、光電器件以及放射性同位素?zé)犭姲l(fā)電機的不斷發(fā)展,人們重新對SiGe單晶材料產(chǎn)生了濃厚的興趣。當(dāng)SiGe外延層超過臨界厚度時,采用高質(zhì)量的SiGe單晶替代Si單晶作為外延襯底材料,可以減少Si襯底與Si1-xGex合金層之間過渡層的數(shù)目,避免或減少失配位錯,改善量子阱器件的性能。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱
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Si-Ge 晶體基片
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技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu): | 立方晶系 | 晶格常數(shù): | a=0.5431+0.02x+0.027x2? | 電阻: | 7-8 ohm-cm | 導(dǎo)電類型: | P型不摻雜 | 生長方法: | 直拉(CZ)法生長 |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向: | <100> | 常規(guī)尺寸: | 常規(guī)尺寸:dia4″x0.5mm; | 拋光情況: | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度: | < 5A |
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晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝
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