- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
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- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
PMN-PT晶體
- 產(chǎn)品概述:
- 用改進(jìn)的Bridgman法生長出了高質(zhì)量的大尺寸弛豫鐵電單晶PMNT,該單晶具有優(yōu)異的壓電性能、非線性光學(xué)性能和熱釋電性能,不僅可以滿足應(yīng)用需要成為新一代高性能壓電換能器、非線性光學(xué)器件和光電探測器件(如紅外探測器)的核心材料,而且還為廣大的科研人員提供了良好的研究載體,歡迎國內(nèi)外各科研院所和公司企業(yè)定購我們的單晶產(chǎn)品,進(jìn)行相關(guān)的科學(xué)研究及器件研發(fā)和生產(chǎn)。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱
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PMN-PT晶體基片
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技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu): | 贗立方晶系 | 晶格常數(shù): | a=~4.024 ? | 密度: | 8.1 g/cm3 | 熔點(diǎn): | 1280°C | 硬度: | 3.5mohs | 熱膨脹系數(shù) | 10.4x10-6/K | 耦合常數(shù): | k33(longitudinal mode) >92% kt(thickness mode) 59-62% k33'(beam mode) 84-88% | 壓電系數(shù)d33 : | >2000 pC/N | 介電常數(shù)e(at 1kHz after poling) : | 4000 – 6000 | 介電損耗: | tan d<0.9 | 居里溫度 : | 135-150°C | 生長方法: | 坩堝下降法 |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向: | | 晶向公差: | ±0.5° | 常規(guī)尺寸: | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm | 拋光情況: | 單拋、雙拋、細(xì)磨 | 拋光面粗糙度: | Ra<15A (單晶內(nèi)部有疇) |
注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。
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晶體缺陷
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人工金屬單晶存在常見晶體缺陷等。
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標(biāo)準(zhǔn)包裝:
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1000級超凈室,100級超凈袋封裝
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