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NdGaO3晶體
- 產(chǎn)品概述：
- NdGaO3是近十年中發(fā)展起來(lái)的新型基片，主要用作高溫超導(dǎo)體（如YBCO）及磁性材料的外延薄膜生長(zhǎng)用基片。由于NdGaO3與YBCO的晶格失配很小（~0.27%），且無(wú)結(jié)構(gòu)相變，在NdGaO3基片上可外延生長(zhǎng)質(zhì)量良好的薄膜。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱(chēng)
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鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片
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| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 正交晶系 | 晶格常數(shù)： | a=5.43 ? b=5.50 ? c=7.71? | 密度： | 7.57 g/cm3 | 熔點(diǎn)： | 1600 °C | 硬度： | 5.9 Mohs | 介電常數(shù)： | ＜20在300k | 生長(zhǎng)方法： | 提拉法 |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | <100>、<001>、<110>、<010> | 公差： | ±0.5° | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋 、雙拋 | 粗糙度： | <5A |
注：可根據(jù)客戶需求提供特殊的尺寸和方向；
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| 晶體缺陷
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人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
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