- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
MoTe2晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 應用于半導體電子器件、光學器件等研究。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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MoTe2二碲化鉬
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| 技術(shù)參數(shù)
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類型： | CVD法人工合成 | 純度： | >99.99％ | 外觀： | 黑色 | 電導： | 半導體 | 帶隙： | 塊體直接帶隙 0.8 eV，單層直接帶隙 1.24 eV | 常規(guī)尺寸： | ~ 3x3x0.1 mm 面積≥10平方毫米 | | 晶體結(jié)構(gòu)： | 六方晶系 | | 生長方法： | 化學氣相傳輸 | | 晶體常數(shù)： | a=b=3.83? c=13.96? α=β=90° γ=120° |
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| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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