- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
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- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
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- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
二維材料MoSe2
- 產(chǎn)品概述：
- 應(yīng)用于半導(dǎo)體電子器件、光學(xué)器件等研究。
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
MoSe2 二硒化鉬 |
| 技術(shù)參數(shù)
|
類型： | CVT法人工合成 | 純度： | >99.99％ | 外觀： | 銀灰色 | 電導(dǎo)： | 半導(dǎo)體 | 帶隙： | 單層MoSe2直接帶隙 1.55 eV | | 晶體結(jié)構(gòu)： | 六方晶系 | | 晶體常數(shù)： | a=b=3.29, c=12.89 ,α=β=90° ,γ=120° | | 生長方法： | 化學(xué)氣相傳輸 | 常規(guī)尺寸： | ~ 3x3x0.1 mm 面積≥10平方毫米 |
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
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