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MoS2 晶體
- 產(chǎn)品概述：
- MoS2有人工和天然兩種，人工的沒有缺陷峰，天然的缺陷峰信號在波長范圍：400-500之間，如果你研究的不在那個(gè)波段內(nèi)區(qū)別就不會(huì)太大。常用于半導(dǎo)體電子器件，光學(xué)器件等研究。
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
MoS2 二硫化鉬 |
| 天然技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 六方晶系 | 類型： | 天然 | | 熔點(diǎn) | 2375℃ | 純度： | >98％ | 外觀： | 銀白色 | 電導(dǎo)： | 半導(dǎo)體 | 帶隙： | 塊體MoS2間接帶隙1.2 eV, 單層MoS2直接帶隙 1.8 eV | 常規(guī)尺寸： | 10 mm x 10 mm ，20 mm x 20 mm，15 mm x 15 mm |
|
| 人工技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 六方晶系 | 類型： | CVD法人工合成 | | 熔點(diǎn) | 1185℃ | 純度： | >99.99％ | 外觀： | 黑色/銀灰色 | 電導(dǎo)： | 半導(dǎo)體 | 帶隙： | 塊體MoS2間接帶隙1.2 eV, 單層MoS2直接帶隙 1.8 eV | 常規(guī)尺寸： | ~ 3x3x0.1 mm 面積≥10平方毫米 | | 生長方法： | 分子外延，化學(xué)氣相沉積，天然 | | 晶格常數(shù)： | a=b=3.15? ,c=12.29?, α=β=90°,γ=120° |
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
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