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MgO:LiNbO3晶片
產(chǎn)品概述:
純同成份鈮酸鋰晶體最大的缺點(diǎn)是抗激光損傷闕值很低,這限制了它的應(yīng)用領(lǐng)域。當(dāng)摻入5mol%MgO后,所生長(zhǎng)MgO:LN晶體的抗激光損傷闕值提高1-2個(gè)數(shù)量級(jí),極化反轉(zhuǎn)電壓從21KV/mm降至6KV/mm,紫外吸收邊紫移至310mm,OH-吸收峰紅移至3535cm-1,這些變化極大的拓展了LN晶體的應(yīng)用范圍。
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產(chǎn)品名稱

光學(xué)級(jí)摻鎂鈮酸鋰(MgO:LiNbO3)晶片


產(chǎn)品規(guī)格

晶體結(jié)構(gòu):

三方晶系

晶格常數(shù):

a=5.147?  c=13.856?

密度:

4.7g/cm3

熔點(diǎn):

1253℃

生長(zhǎng)方法:

提拉法                         


產(chǎn)品規(guī)格:

常規(guī)晶向:

Z cut

晶向公差:

±0.5°

常規(guī)尺寸:

10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm

拋光情況:

單拋、雙拋、細(xì)磨

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。


晶體缺陷:

人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。


標(biāo)準(zhǔn)包裝:

1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝


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