- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
MgO:LiNbO3晶片
- 產(chǎn)品概述:
- 純同成份鈮酸鋰晶體最大的缺點(diǎn)是抗激光損傷闕值很低,這限制了它的應(yīng)用領(lǐng)域。當(dāng)摻入5mol%MgO后,所生長(zhǎng)MgO:LN晶體的抗激光損傷闕值提高1-2個(gè)數(shù)量級(jí),極化反轉(zhuǎn)電壓從21KV/mm降至6KV/mm,紫外吸收邊紫移至310mm,OH-吸收峰紅移至3535cm-1,這些變化極大的拓展了LN晶體的應(yīng)用范圍。
免責(zé)聲明:
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容(包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等)僅用于宣傳用途,僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差,請(qǐng)勿復(fù)制或者截圖。如果您對(duì)參數(shù)有異議,或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù),請(qǐng)與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾,請(qǐng)勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同,科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息,恕不另行通知,請(qǐng)您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔,說(shuō)明書(在線閱覽),裝箱單,與售后安裝條件等文件,請(qǐng)點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對(duì)大陸地區(qū)客戶,購(gòu)買前請(qǐng)與工作人員溝通,以免給您帶來(lái)不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱
|
光學(xué)級(jí)摻鎂鈮酸鋰(MgO:LiNbO3)晶片
|
產(chǎn)品規(guī)格
|
晶體結(jié)構(gòu): | 三方晶系 | 晶格常數(shù): | a=5.147? c=13.856? | 密度: | 4.7g/cm3 | 熔點(diǎn): | 1253℃ | 生長(zhǎng)方法: | 提拉法 |
|
產(chǎn)品規(guī)格:
|
常規(guī)晶向: | Z cut | 晶向公差: | ±0.5° | 常規(guī)尺寸: | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm | 拋光情況: | 單拋、雙拋、細(xì)磨 |
注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。
|
晶體缺陷:
|
人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
|
標(biāo)準(zhǔn)包裝:
|
1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
|
免責(zé)聲明:
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容(包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等)僅用于宣傳用途,僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差,請(qǐng)勿復(fù)制或者截圖。如果您對(duì)參數(shù)有異議,或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù),請(qǐng)與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾,請(qǐng)勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同,科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息,恕不另行通知,請(qǐng)您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔,說(shuō)明書(在線閱覽),裝箱單,與售后安裝條件等文件,請(qǐng)點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對(duì)大陸地區(qū)客戶,購(gòu)買前請(qǐng)與工作人員溝通,以免給您帶來(lái)不便。