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InSb晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 在III-V族半導(dǎo)體中，InSb化合物具有最窄禁帶寬度、最高電子遷移率、最小有效質(zhì)量和最大g 因子，是制備高速低功耗電子器件、紅外光電子器件及進行自旋電子學(xué)研究與拓撲量子計算等前沿物理探索的理想材料。
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
銻化銦(InSb)晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | 6.06 ? | 硬度（Mohs）： | 3.8 | 密度： | 5.66g/cm3 | 熔點： | 942℃ | 摻雜： | None;Te;Ge | 導(dǎo)電類型： | N型 和 P型 | 載流子濃度： | 1-5x1014 1-2x1015 | 位錯密度： | <2x102 cm-2 | 生長方法： | FZ 或 LCE |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | （100）
| 公差： | ±0.5o | 常規(guī)尺寸： | dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋 雙拋 | 表面粗糙度： | <15? | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工金屬單晶存在常見晶體缺陷等。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝。 |
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