- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
Ge晶體
- 產(chǎn)品概述：
- Ge?主要用途有：制作半導(dǎo)體器件、紅外光學器件及太陽能電池襯底等材料。
免責聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
Ge晶體基片 |
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | 5.6754 ? | 密度： | 5.323 g/cm3 | 熔點： | 937.4 ℃ | 介電常數(shù)： | 16.2 | 熱導(dǎo)率（w/m·k）： | 60.2 | 摻雜物質(zhì)： | 不摻雜；摻Sb；摻In或Ga； | 類型： | N型 和 P型 | 電阻率 W·cm： | >35 0.05 0.05-0.1 | EPD: | < 4x103/cm2 < 4x103/cm2 < 4x103/cm2 | 生長方法： | 直拉法 |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)晶向： | <100>、<110>、<111> | 晶向公差： | ±0.5° | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm，10x5x0.5mm,dia2",dia3" | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 表面粗糙度： | < 5A | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
|
| 晶體缺陷
|
人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標準包裝
|
1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
免責聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
皖公網(wǎng)安備 34012302000974號
查看誠信檔案
