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GaSb晶體
產(chǎn)品概述:
GaSb單晶由于其晶格常數(shù)與帶系在?0.8~4.3um寬光譜范圍內(nèi)的各種三元和四元,III-V族化合物固熔體的晶格常數(shù)匹配,因?yàn)镚aSb可以作為襯底材料用作制備適合某些紅外光纖傳輸?shù)募す馄骱吞綔y器,GaSb也被預(yù)見具有晶格限制遷移率大于GaAs,使得它在制作微波器件方面具有潛在的應(yīng)用前景。
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產(chǎn)品名稱

銻化鎵(GaSb)晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):                     

立方晶系

晶格常數(shù):

6.095?

硬度(Mohs)

4.5

密度:

5.619 g/cm3

熔點(diǎn):

710℃

介電常數(shù)

15.7

熱膨脹系數(shù):

6.1×10-6/oK

熱導(dǎo)率:

270 mW / cm.k at 300K

摻雜類型:

N型摻Te;P型不摻雜

載流子濃度:

1-2x1017    1-5x1016   1-5x1018  2-6x1017     1-5x1016

位錯(cuò)密度:

<103 cm-2

生長方法:

LEC 

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:                     

(100)、(110)、(111)

常規(guī)尺寸:

dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm                 

拋光情況:

單拋

表面粗糙度:

<15A

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝

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