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GaSb晶體
- 產(chǎn)品概述:
- GaSb單晶由于其晶格常數(shù)與帶系在?0.8~4.3um寬光譜范圍內(nèi)的各種三元和四元,III-V族化合物固熔體的晶格常數(shù)匹配,因?yàn)镚aSb可以作為襯底材料用作制備適合某些紅外光纖傳輸?shù)募す馄骱吞綔y器,GaSb也被預(yù)見具有晶格限制遷移率大于GaAs,使得它在制作微波器件方面具有潛在的應(yīng)用前景。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱
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銻化鎵(GaSb)晶體基片 |
技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu): | 立方晶系 | 晶格常數(shù): | 6.095? | 硬度(Mohs) | 4.5 | 密度: | 5.619 g/cm3 | 熔點(diǎn): | 710℃ | 介電常數(shù) | 15.7 | 熱膨脹系數(shù): | 6.1×10-6/oK | 熱導(dǎo)率: | 270 mW / cm.k at 300K | 摻雜類型: | N型摻Te;P型不摻雜 | 載流子濃度: | 1-2x1017 1-5x1016 1-5x1018 2-6x1017 1-5x1016 | 位錯(cuò)密度: | <103 cm-2 | 生長方法: | LEC |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向: | (100)、(110)、(111) | 常規(guī)尺寸: | dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm | 拋光情況: | 單拋 | 表面粗糙度: | <15A | 注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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晶體缺陷
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人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
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