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GaN晶體
產(chǎn)品概述:
氮化鎵是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙的半導(dǎo)體,由于具有化學(xué)穩(wěn)定性好、熱傳導(dǎo)性能優(yōu)良、擊穿電壓高、大功率,近年在光電子領(lǐng)域和高溫高頻電子應(yīng)用備受關(guān)注,是目前最優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱

氮化鎵(GaN)晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):                 

六方晶系

晶格常數(shù)a= 3.186 ? ,  c = 5.186 ?         

傳導(dǎo)類型:

N型摻Si;N型不摻雜

可用表面積:

>90%

位錯(cuò)密度:

(5-9)x105Ω.cm

電阻率:

R<0.05 Ω.cm;R<0.1Ω.cm

介電常數(shù):8.9

TTV:

≤15um

密度6.15(g/cm3)

生長(zhǎng)方法:

HVPE(氫化物氣相外延法)

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:                 

(0001)

常規(guī)尺寸:


10.5x10x0.35mm、5x5x0.35mm            

表面粗糙度:

<5?

注:尺寸可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋或單片盒裝

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附件

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