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GaAs晶體
產(chǎn)品概述:
砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)。砷化鎵是半導(dǎo)體材料中,兼具多方面優(yōu)點(diǎn)的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小,導(dǎo)熱性差,不適宜制作大功率器件。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱

砷化鎵(GaAs)晶體基片


技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):              

立方晶系

晶格常數(shù):

a=5.6534?

導(dǎo)電類型:

N型摻Si;N型摻Te;不摻雜;P型摻Ga         

熔點(diǎn):

1237°C

禁帶寬度:

1.4電子伏

介電常數(shù):13.1

位錯(cuò)密度:

<5x103cm^2

遷移率:

(3500-3600)cm2/vs 等

生長方法:

VGF生產(chǎn)方法

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:              

<100>、<110>、<111>

常規(guī)尺寸:

10x10x0.35mm;dia2″x0.35mm;           

拋光情況:

單拋、雙拋

表面粗糙度:

<15A

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋

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附件

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