- 加熱爐設備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設備
- 壓片設備
- 輥壓設備
- 切割設備
- 磨拋設備
- 清洗設備
- 電池研發(fā)設備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設備
?-Ga2O3單晶基片
- 產品概述：
- ?-Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數(shù)產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
|
?-Ga2O3單晶基片 |
| 技術參數(shù)
|
晶體結構： | 單斜晶系 | 晶格常數(shù)： | a=12.23A,b=3.04A, c=5.80A, ?=103.7° | 密度： | 5.95g/cm3 | 熔點： | 1725oC | 摻雜類型： | N型 | 電阻率： | R≤0.2Ω·cm | | 遷移率 | 300cm2/v·s | 禁帶寬： | 4.8-4.9V |
|
| 產品規(guī)格
|
常規(guī)晶向： | (100) | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.7-0.8mm. | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 表面粗糙度： | <15A | 注：尺寸可按照客戶要求定做。 |
|
| 晶體缺陷
|
人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷。 |
| 標準包裝
|
1000級超凈室100級超凈袋真空包裝 |
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
皖公網安備 34012302000974號
查看誠信檔案
