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Ga:ZnO晶體
產(chǎn)品概述:
新一代寬禁帶,直接帶隙的多功能 II-V 族半導體材料,具有優(yōu)秀的光電、壓電、氣敏、壓敏等特性
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產(chǎn)品名稱

Ga:ZnO晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):              

六方晶系

晶格常數(shù):

 a= 3.252 ? ,  c = 5.313 ?        

熔點:

1975℃

硬度:

4 Mohs

密度:

~5.7 g/cm3

帶隙:

3.37eV

介電常數(shù)8.5

比熱容:

0.125 cal/gm

導電性:

N type

導熱系數(shù):

0.006 cal/cm/ oK

熱膨脹系數(shù):

2.90 x 10-6/oK

位錯密度:

< 4 x 104 /cm2

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:              

(0001)

常規(guī)尺寸:

5x5x0.5mm、10x5x0.5mm、10x10x0.5mm        

表面粗糙度:

<5A

注:尺寸可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標準包裝

1000級超凈室100級超凈袋真空包裝

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