- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
Cu晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 科晶公司開發(fā)的金屬基片，包括多晶和單晶金屬。單晶銅被廣泛應(yīng)用于基質(zhì)金屬，合金薄膜材料和生物材料。
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
|
銅(Cu)單晶
|
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=3.605? | 純度： | >99.99％ | 密度： | 8.93g/cm3 | 熔點(diǎn)： | 1083℃ | 沸點(diǎn)： | 2567°C | 生長方法： | 提拉法或布里奇曼法 | | 硬度 | 3（Mohs） |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)晶向： | | 晶向公差： | ±2° | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm；10x5x0.5mm、5x5x0.5mm | 拋光情況： | 細(xì)磨、單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | < 100A |
注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。
|
| 晶體缺陷
|
人工金屬單晶存在常見晶體缺陷，表面可能會(huì)有小黑點(diǎn)，微小氣泡等
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
|
| 儲(chǔ)存須知
|
由于金屬單晶極易氧化，請于真空儲(chǔ)藏，1個(gè)月內(nèi)使用
|
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會(huì)造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
皖公網(wǎng)安備 34012302000974號(hào)
查看誠信檔案
