- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
Ce:Lu2SiO5晶體
- 產(chǎn)品概述:
- 閃爍晶體的X或Y水平射線有著較高的發(fā)光效率,由于它的能度和強(qiáng)度這些晶體被廣泛用于安全檢查和檢測(cè)設(shè)備中,比如機(jī)場(chǎng),火車(chē)站,自定義端口以及石油勘探領(lǐng)域。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱(chēng)
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Ce:Lu2SiO5晶體基片
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技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu): | 單斜晶系 | 晶格常數(shù): | a=12.36b=6.644 c=10.25 β=102.40 | 純度: | >99.99% | 密度: | 7.4g/cm3 | 硬度: | 5.8( mohs) | 熔點(diǎn): | 2047℃ | 熱膨脹: | 19.5 10-6/K | 折射率: | 1.82 | 發(fā)射波長(zhǎng): | 418nm | 生長(zhǎng)方法: | 布里奇曼 |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向: | (001) 摻Ce摩爾比0.175% | 常規(guī)尺寸: | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm | 拋光情況: | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度: | Ra<15A |
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晶體缺陷
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人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封
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