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Ce:YAG晶體
產(chǎn)品概述:
長(zhǎng)適用于光電二極管作為光探測(cè)器和探測(cè)輕帶電粒子時(shí)使用。且不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定,還可應(yīng)用于極端的探測(cè)環(huán)境中。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱

Ce:YAG  摻鈰釔鋁石榴石單晶基片


技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):

六方晶系

晶格常數(shù):

a =12.01 ?

純度:

>99.99%

密度:

4.55g/cm3 

硬度:

8.5( mohs)

熔點(diǎn):

1950℃

熱膨脹:

0.8-0.9 x10-6/ ℃ at  0- 250 ℃

折射率:

1.82

發(fā)射波長(zhǎng):

550nm

生長(zhǎng)方法:     

提拉法                           


產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:

(111)

晶向公差:

±0.5°

常規(guī)尺寸:

10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm

拋光情況:

單拋、雙拋

拋光面粗糙度:

Ra<5A

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。


晶體缺陷

人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。


標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋、插盒或單片盒封裝


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附件

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