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CdZnTe晶體
- 產(chǎn)品概述：
- CdZnTe晶體是一種閃爍礦結(jié)構(gòu)的連續(xù)固溶體，改變Zn的組分，其晶格常數(shù)在0.6100 -0.6482urn之間連續(xù)可調(diào)，與HgCdTe外延膜的晶格匹配性好。有良好的導(dǎo)電性能；較高的吸收系數(shù)；溫和的熱膨脹性；
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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Cd1-xZnxTe晶體基片
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| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | a = 6.483 – 6.446? | 密度： | 5.605g/cm3 | 熔點(diǎn)： | 1975℃ | 熱導(dǎo)率： | 30W /m.k at 300K | 熱膨脹系數(shù)： | 6.5 // a 3.7 // c 10-6/K | 透過(guò)波長(zhǎng)： | 0.4 ~ 0.6μm |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | （111） | 型號(hào)： | P型 其中Zn占14% | 電阻率： | 電阻率：1*10(6) | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | <15A |
注：可按客戶要求定制特殊的方向和尺寸。
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| 晶體缺陷
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人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
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