- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
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- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
CdS晶體
- 產(chǎn)品概述:
- II - VI族晶體有可能在不久的將來(lái)用于突出拍攝上。他們的直接帶隙的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個(gè)帶隙,為有趣的設(shè)備提供了廣泛選擇的可能性。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱(chēng)
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硫化鎘(CdS)晶體基片
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技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu): | 六方晶系 | 晶格常數(shù): | a=4.1367 c=6.7161 | 密度: | 4.821g/cm3 | 熔點(diǎn): | 1287oC | 折射率: | no=1.708 ne=1.723 | 導(dǎo)熱系數(shù): | 2.7W /m.k @ 300K | 透過(guò)波長(zhǎng): | 2.5 ~ 15 (>71%)um | 介電常數(shù) | 8.9 |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向: | (0001) | 晶向公差: | ±1° | 常規(guī)尺寸: | 10x10x0.5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm | 拋光情況: | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度: | 15A |
注:可按客戶(hù)要求定制特殊的方向和尺寸。
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晶體缺陷
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人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
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