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CdSe晶體
產(chǎn)品概述:
硒化鎘單晶是一種重要的直接躍遷帶隙II-VI族半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的光學(xué)和電學(xué)性能。
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產(chǎn)品名稱

硒化鎘(CdSe)晶體


技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):

六方晶系

晶格常數(shù):

a= 4.2985 ?;c=7.015?

密度:

5.81g/cm3

熔點:

1240℃

折射率:

2.42

帶隙:

1.74 eV

電阻率:            

低阻(R<1 ohm-cm);高阻(R>10^6 ohm-cm) 



產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:          

(0001)、(10-10)           

晶向公差:

±1°

常規(guī)尺寸:

d10x10x1.0mm±0.1mm

拋光情況:

雙拋

拋光面粗糙度:

60/40

注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。


晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。


標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室,100級超凈袋、插盒或單片盒封裝

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