- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
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- 磨拋設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
BN晶體
- 產(chǎn)品概述:
- 六方氮化硼(h-BN)是理想的二維材料。h-BN在1566 cm-1處呈強拉曼峰,F(xiàn)WHM小于5cm-1。它顯示5.9 eV帶隙,被認(rèn)為是寬帶帶隙絕緣體。應(yīng)用于半導(dǎo)體電子器件、光學(xué)器件,和絕緣導(dǎo)熱襯底的研究。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品簡介
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氮化硼(BN)晶體
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技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu): | 六方晶系 | 純度: | >99.999% | 顏色: | 白色或透明 | 電導(dǎo): | 絕緣體 | 禁帶寬度: | ≈5.9eV | 生長方法: | CVD法人工合成 |
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產(chǎn)品規(guī)格
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注意事項 | 不要接觸水和空氣不要長時間的暴露在空氣中,盡量戴手套在手套箱里操作 | 常規(guī)尺寸 | 每片都是0.6-1mm不規(guī)則片。一盒約20粒左右 |
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標(biāo)準(zhǔn)包裝
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100級超凈袋、盒子真空包裝。
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