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BGO晶體
- 產(chǎn)品概述:
- 鍺酸鉍(Bi4Ge3O12簡(jiǎn)稱BGO)是一種具有立方結(jié)構(gòu)、無色透明的無機(jī)氧化物晶體,它不溶于水,在高能粒子或高能射線(x-射線、γ-射線)激發(fā)下能發(fā)出峰值為480nm波長(zhǎng)的綠色熒光。BGO晶體具有強(qiáng)阻止射線能力、高閃爍效率、優(yōu)良的能量分辨率及不潮解等優(yōu)點(diǎn),所以是一種優(yōu)良的閃爍體,廣泛應(yīng)用于高能物理、核物理、空間物理、核醫(yī)學(xué)、地質(zhì)勘察和其它工業(yè)領(lǐng)域。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱
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鍺酸鉍(Bi4Ge3O12)晶體基片
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技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu): | 立方晶系 | 晶格常數(shù): | a=10.518? | 純度: | >99.99% | 密度: | 7.12g/cm3 | 硬度: | 5( mohs) | 熔點(diǎn): | 1050 ℃ | 透過范圍: | 350~5500nm | 電光系數(shù) : | r41=1.03x10-12m/V | 折射率: | 2.098@ 632.8nm | 激發(fā)光譜: | 305nm | 臨界能量: | 10.5Mev | 能量分辨率: | 20%511 keV @ | 生長(zhǎng)方法: | 提拉法 |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向: | (100) | 晶向公差: | ±0.5°內(nèi) | 常規(guī)尺寸: | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm | 拋光情況: | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度: | Ra<5A |
注:可按照客戶要求加工尺寸和晶向。
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晶體缺陷
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人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
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