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AlN晶體
- 產(chǎn)品概述:
- AlN單晶襯底是一種具有特殊性能的寬禁帶半導(dǎo)體材料
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱
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AlN晶體 |
技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu): | 六方晶系 | 晶格常數(shù): | a=3.112?; C=4.982? | 密度: | 3.23g/cm3 | 熱導(dǎo)率: | 285W/mk | 可用區(qū)域: | > 80% | EPD: | <1E5 cm-2 | 吸收系數(shù): | <80 cm-1 |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向: | C平面(0001 | 晶向公差: | ±1° | 常規(guī)尺寸: | 10x10x0.45mm±50μm、5x5x0.45mm±50μm | 拋光情況: | 雙拋 | 拋光面粗糙度: | Al面:CMP拋光(RMS<0.8nm) N面:光學(xué)拋光(RMS <3nm) |
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搖擺曲線圖
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