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AlN晶體
產(chǎn)品概述:
AlN單晶襯底是一種具有特殊性能的寬禁帶半導(dǎo)體材料
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產(chǎn)品名稱

AlN晶體

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):

六方晶系

晶格常數(shù):

a=3.112?; C=4.982?

密度:

3.23g/cm3

熱導(dǎo)率:

285W/mk

可用區(qū)域:

> 80%

EPD:          

<1E5 cm-2                                         

吸收系數(shù):       

<80 cm-1                                                 


產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:       

C平面(0001

晶向公差:

±1°

常規(guī)尺寸:

10x10x0.45mm±50μm、5x5x0.45mm±50μm                             

拋光情況:

雙拋

拋光面粗糙度:

Al面:CMP拋光(RMS<0.8nm)      N面:光學(xué)拋光(RMS <3nm)     


搖擺曲線圖

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