技術(shù)參數(shù) | ·工作電源AC 380V,三相,25KW ·感應(yīng)射頻0.2-20KHz ·最高熔煉溫度2100℃ |
真空腔室 | · 采用SS304不銹鋼腔體雙層水冷腔體,確保設(shè)備工作室表面溫度≤70℃, · 腔體尺寸:φ500*700mmH · 腔門上有一個(gè)80*300mm的方形觀察窗口,方便晶體生長過程中實(shí)時(shí)觀察樣品的熔化和生長情況; · 腔體上部安裝了一個(gè)量程為-0.1-0.5MPa的機(jī)械壓力表用于觀察腔室內(nèi)壓力情況 · 一個(gè)φ6.35雙卡套接頭做為出氣口,并通過一個(gè)不銹鋼針閥控制出氣的通斷 · 一個(gè)電磁閥可自動(dòng)控制進(jìn)氣 · 安裝了一個(gè)安全泄壓閥,當(dāng)腔室中壓力大于一定值時(shí)將自動(dòng)泄壓,確保腔體的安全 |
提拉機(jī)構(gòu) | · 直流力矩電機(jī)驅(qū)動(dòng) ·提拉速度:0.01-30mm/h · 籽晶桿旋轉(zhuǎn)速度:0.1-60 rpm ·最大提拉行程:400mm ·位移精度:0.01mm |
上稱重系統(tǒng) | · 設(shè)備標(biāo)配一套上稱重系統(tǒng),可以精確的控制晶體生長過程中的工藝參數(shù)。 · 秤量程:5.2 KG · 秤精度:0.01g |
控制系統(tǒng) | 整個(gè)電路控制系統(tǒng)在工控機(jī)上面實(shí)現(xiàn)操作控制,采用國際通用的labview軟件進(jìn)行控制,可以實(shí)現(xiàn)以下功能: · 生長斜率及控制參數(shù)設(shè)定; · 控制晶升,動(dòng)態(tài)可調(diào) · 控制晶轉(zhuǎn),可設(shè)定多段速自動(dòng)執(zhí)行 · 檢測晶體實(shí)時(shí)重量并反饋至歐陸表組成閉環(huán)控制 · 腔體真空壓力檢測 · 報(bào)警監(jiān)測,晶升晶轉(zhuǎn)中頻氣壓及稱量程等上限報(bào)警 · 實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)曲線,晶體生長圖例模擬 · 數(shù)據(jù)記錄,自動(dòng)存儲(chǔ)運(yùn)行數(shù)據(jù) |
水冷系統(tǒng) (選配) | · 工作電流:2.1-12.9A · 制冷量:49474Btu/h · 最大流量:117L/min · 水箱容量:75L |
真空系統(tǒng) (選配) | 機(jī)械泵技術(shù)參數(shù): · 型號:VRD-48 · 抽氣口接口尺寸:KF40 · 抽氣速率:(48m3/h)13.3L/S · 電機(jī)功率:1500 W · 極限壓強(qiáng)4×10-2 Pa 分子泵技術(shù)參數(shù): · 抽氣速率:700L/s · 極限壓強(qiáng):6×10-6 Pa · 啟動(dòng)時(shí)間:≤9min · 額定轉(zhuǎn)速:36000rpm/min · 冷卻方式:水冷 · 抽氣口接口尺寸:CF160 |
坩堝系統(tǒng) (選配) | ? 可選銥坩堝及相應(yīng)的保溫材料組件 此單晶爐最大可生長晶體尺寸為≤φ2英寸*80mm |
產(chǎn)品尺寸 | ? 爐體:880mm(L) x 1250mm(W) x 2640mm(H) ? 控制柜:600mm(L) x 600mm(W) x 1200mm(H) ? 中頻柜:965(L) x 812mm(W) x 1219mm(H) |
保質(zhì)期 | ? 一年保質(zhì)期,終生維護(hù)(不包含爐管,氟膠O型圈和加熱元件等損耗件) |
產(chǎn)品重量 | 2200kg |
應(yīng)用注意事項(xiàng) | ? 本公司多種單晶均由此單晶爐生長,如藍(lán)寶石, LaAlO3, LAST, SrLaAlO3, LiAlO3等 ? 可點(diǎn)擊下圖查看用此單晶爐生長Ge單晶的實(shí)物圖片 原料熔化 下籽晶 籽晶提拉 藍(lán)寶石 Ni單晶 · 我們不建議客戶使用易燃易爆和有毒的氣體,如果客戶工藝原因確實(shí)需要使用易燃易爆和有毒氣體,請客戶自行做好相關(guān)防護(hù)和防爆措施。由于使用易燃易爆和有毒氣體而造成的相關(guān)問題,本公司概不負(fù)責(zé)。 |
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