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1200℃雙溫區(qū)4坩堝分體式HPCVD爐(帶進樣系統(tǒng))
關(guān)鍵字:
雙溫區(qū)、開啟式、依次移動
型號:
OTF-1200X-II-ZL
產(chǎn)品概述:
OTF-1200X-II-ZL是一款爐管可在爐管內(nèi)部移動的(在真空氣氛保護環(huán)境下移動)管式爐,最多可依次移動4個坩堝。特殊的坩堝推送機構(gòu),可將坩堝在爐管內(nèi)推出后再拉回,讓坩堝能做往返移動。坩堝移動位置&爐體的溫度控制都采用一觸摸屏控制。此款設(shè)備可進行物理化學混合沉積(HPCVD),快速熱蒸發(fā)(RTE)等實驗,適合制備多層二維晶體材料。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
開啟式管式爐
  • 雙溫區(qū)管式爐:兩個獨立的溫控系統(tǒng)分別獨立控制兩個溫區(qū)

  • 加熱區(qū)長度:溫區(qū)1:200mm, 溫區(qū)2:200mm

  • 爐管材料:高純石英

  • 爐管尺寸:外徑: 60 ×內(nèi)徑: 54×長: 760 mm

  • 溫度曲線圖(兩個溫區(qū)設(shè)置在800℃時所測,僅供參考)(可點擊圖片查看詳細資料))

  • 最高工作溫度:1200℃(<1hr)

  • 連續(xù)工作溫度:1100℃

  • 控溫精度:+/-1

  •  


真空密封
  • 配有不銹鋼密封法蘭,上面安裝有不銹鋼截止閥和機械壓力表

  • 進氣端法蘭接口為Φ6.35卡套接頭,出氣端法蘭接口為KF25接口

  • 法蘭密封圈采用水冷卻,使用時需要通入冷卻水,可在本公司選購循環(huán)水冷機

  • 真空度:10E-2 torr(采用機械泵),10-E5 torr(采用分子泵)

  •   


坩堝移動機構(gòu)(轉(zhuǎn)輪式法蘭)
  • 一根鎧裝熱電偶通過左端法蘭通入到爐管內(nèi)部,并與坩堝相連接(圖1)

  • 通過步進電機驅(qū)動使坩堝移動,并和熱電偶和坩堝一起移動,實時監(jiān)測樣品的溫度

  • 進氣端法蘭轉(zhuǎn)輪式法蘭(圖2)

  • 可同時在轉(zhuǎn)輪系統(tǒng)中放入4個坩堝,可交替將放入4種材料的石英坩堝自動送入到石英管中(可在真空狀態(tài)或氣氛保護狀態(tài)進行運作)


坩堝移動控制
  • 通過一步進電機控制坩堝移動的速度和位置

  • 可控制坩堝最小移動位移為1mm

  • 坩堝最大移動距離為200mm

  •   


防腐型數(shù)顯真空計
  • 配有一數(shù)顯防腐型真空計

  • 當氣壓在10mbar以上時,不需因測量氣體種類不同而進行系數(shù)轉(zhuǎn)換

  • 對于氣體的壓力檢測具有較高的精確度和重復性

  • 因為傳感器上鍍有涂層,所以具有較好的抗腐蝕性

  • 測量范圍:3.8x10-5 -1125 Torr


混氣系統(tǒng)
  • 此套設(shè)備中配有一2路混氣系統(tǒng)

  • 最大輸出功率:18W

  • 工作溫度:5-45℃

  • 最大氣壓:3×106Pa

  • 精度:±1%FS

  • 質(zhì)量流量計量程:

  • 1:0-100sccm

  • 2:1-199sccm

  • 可根據(jù)客戶要求選購1-5路供氣系統(tǒng)


產(chǎn)品尺寸

2400L×600W×1300mm H
   

質(zhì)保

一年質(zhì)保期,終生維護(不包含爐管,密封圈和加熱元件)

質(zhì)量認證


使用注意事項
  • 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa

  • 由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高,所以向爐管內(nèi)通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全

  • 當爐體溫度高于1000℃時,爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當,保持在常壓狀態(tài)

  • 進入爐管的氣體流量需小于200SCCM,以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊

  • 石英管的長時間使用溫度<1100℃

  • 對于樣品加熱的實驗,不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù),若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa,必須立刻打開泄氣閥,以防意外發(fā)生(如爐 管破裂,法蘭飛出等)


應(yīng)用注意事項
  • 此款管式爐具有多種用途

  • 熱蒸發(fā):把蒸發(fā)料放在坩堝里,通過移動坩堝來精確找到所需要的蒸發(fā)溫度

  • HPCVD:和熱蒸發(fā)相似,可通入反應(yīng)氣體與蒸發(fā)的物料反應(yīng)后再沉積

  • 可用于制作多層二維晶體


免責聲明

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國家專利


專利名稱:多樣品單通道自動切換進樣系統(tǒng)及其進樣方法


專利號:ZL 2016 1 0396132.X


尊重創(chuàng)新、鄙視抄襲、侵權(quán)必究

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