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四氧化三鈷/聚苯胺(Co3O4/PANI)核殼納米線陣列
- 產(chǎn)品概述：
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| 產(chǎn)品信息(四氧化三鈷/聚苯胺核殼納米線陣列，Co3O4/PANI)
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四氧化三鈷/聚苯胺(Co3O4/PANI)核殼納米線陣列其支撐核為介孔四氧化三鈷納米線，外殼為聚苯胺薄層。 該核殼納米陣列經(jīng)水熱法和電沉積結(jié)合制備而成，可以在多種導(dǎo)電（如碳布、泡沫鎳、鎳片、不銹鋼片等）上生長。 內(nèi)核的四氧化三鈷納米線平均直徑80-100nm，納米線由相互交聯(lián)的粒徑為4-5nm的納米顆粒構(gòu)成，且納米顆粒間的空隙約為3-5nm。 外殼聚苯胺的厚度約為20nm，經(jīng)電沉積生長在四氧化三鈷納米線核上構(gòu)成異質(zhì)結(jié)構(gòu)的核殼納米陣列。核殼納米線的直徑100-150nm, 陣列整體長度約為5微米。 樣品宏觀尺寸不超過寬度3厘米´長度3厘米。 該樣品的宏觀色澤呈墨綠色。
產(chǎn)品信息（氧化亞鈷/聚苯胺核殼納米線陣列，CoO/PANI): 氧化亞鈷/聚苯胺核殼納米線陣列和上述四氧化三鈷/聚苯胺核殼納米線陣列的制備方法和形貌尺寸均類似，唯一不用在于前期通過不同熱處理工藝生成氧化亞鈷納米線核心，然后再以此為基礎(chǔ)生長聚苯胺交聯(lián)外殼。
代表性樣品的掃描電鏡和透射電鏡照片如下： 
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