- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
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- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
InP晶體基片
- 產(chǎn)品概述:
- InP非常適用于高頻器件,如高電子遷移率晶體管和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)等方面。InP基器件在毫米波、通訊、防撞系統(tǒng)、圖像傳感器等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱
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磷化銦(InP)晶體基片 |
技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu): | 立方晶系 | 晶格常數(shù): | a =5.4505 ? | 摻雜: | None;Sn;S;Fe:Zn | 密度: | 4.81g/cm3 | 硬度: | 3 Mohs | 導(dǎo)電類型: | N;N;N;Si;P | 折射率: | 3.45 | 載流子濃度: | 1-2x1016 1-3x1018 1-4x1018 .6-4x1018 | 位錯密度: | <5x104 cm-2 | 生長方法: | LEC | 熔點: | 1062℃ | 彈性模量: | 7.1E11dyn cm-2 |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向: | <100> <111> | 常規(guī)尺寸: | 2"x0.5mm 10x10x0.5mm | 拋光情況: | 單拋 | 表面粗糙度: | <15A | 注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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晶體缺陷
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人工金屬單晶存在常見晶體缺陷,表面可能會有小黑點,微小氣泡等 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝 |
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