- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
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- 磨拋設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
Si晶體基片
- 產(chǎn)品概述:
- 化學(xué)符號為Si,主要用途有:制作半導(dǎo)體器件、紅外光學(xué)器件及太陽能電池襯底等材料
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱
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Si 單晶基片
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技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu): | 立方晶系 | 晶格常數(shù): | a=5.4301 ? | 摻雜類型: | N型不摻雜、N型摻P、N型摻As、N型摻Sb、P型摻B | 硬度(mohs): | 6.5 | 電阻率: | 10000~0.001Ω.cm | 超導(dǎo)率(w/m.k): | 149 | 密度: | 2.329(g/cm3) | 熔點(diǎn): | 1414℃ | 熱膨脹系數(shù)(/k): | 2.6×10-6 | 生長方法: | CZ和FZ |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向: | 、、 | 常規(guī)尺寸: | Dia4”x0.5mm、dia2”x0.5mm | 拋光情況: | 單拋、雙拋、細(xì)磨 | 拋光面粗糙度: | < 10A | 注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝
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