- 加熱爐設(shè)備
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- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
4H-SiC晶體基片
- 產(chǎn)品概述:
- SiC屬于第三代半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料,禁帶寬度大于2eV。其中4H-SiC禁帶寬可以達(dá)到3.26eV,遷移率高:900cm2/V.s。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱
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4H-SiC晶體基片
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技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu): | 六方晶系 | 晶格常數(shù): | a=3.08? c=10.05? | 熔點(diǎn) | 2827℃ | 硬度(Mohs): | ≈9.2 | 方向: | 生長(zhǎng)軸或偏(0001) 3.5° | 密度(g/cm3) | 3.16 | 帶隙: | 2.93eV (間接) | 導(dǎo)電類型: | N導(dǎo)電 | 電阻率: | 0.1-0.01 ohm-cm | 介電常數(shù): | e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33 | 導(dǎo)電率: | 5W / cm·K | 生長(zhǎng)方式: | MOCVD(有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積) |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向: |
| 常規(guī)尺寸: | 10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm | 拋光情況: | 單拋、雙拋 | 拋光面: | 常規(guī)單拋為“Si” 面拋光,可按要求做“C”面拋光 | 拋光面粗糙度: | < 15A | 注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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晶體缺陷
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人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
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