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ZnS 晶體基片
產(chǎn)品概述:
II - VI族晶體有可能在不久的將來用于突出拍攝上。他們的直接帶隙的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個帶隙,為有趣的設(shè)備提供了廣泛選擇的可能性。
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產(chǎn)品名稱

ZnS 晶體基片


技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):                     

立方晶系                               

晶格常數(shù):

5.41?  

密度:

4.08 g/cm3

熔點(diǎn):

1850 ℃

熱容:

0.469 J/g·k

熱膨脹系數(shù)(10-6/K):

6.8

折射率:

2.34

透過波長:

2~12 um

熱導(dǎo)率:

16 W/(m.k)  at300K

生長方式:

布里奇曼法


產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:                

<110>、<111>

常規(guī)尺寸:

10x10x1.0mm、5x5x1.0mm                    

拋光情況:

單拋、雙拋

表面粗糙度:

<5A

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。


晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。


標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝


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