- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
ZnS 晶體基片
- 產(chǎn)品概述:
- II - VI族晶體有可能在不久的將來用于突出拍攝上。他們的直接帶隙的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個帶隙,為有趣的設(shè)備提供了廣泛選擇的可能性。
免責(zé)聲明:
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容(包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等)僅用于宣傳用途,僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差,請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議,或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù),請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾,請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同,科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息,恕不另行通知,請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔,說明書(在線閱覽),裝箱單,與售后安裝條件等文件,請點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶,購買前請與工作人員溝通,以免給您帶來不便。
技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱
|
ZnS 晶體基片
|
技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu): | 立方晶系 | 晶格常數(shù): | 5.41? | 密度: | 4.08 g/cm3 | 熔點(diǎn): | 1850 ℃ | 熱容: | 0.469 J/g·k | 熱膨脹系數(shù)(10-6/K): | 6.8 | 折射率: | 2.34 | 透過波長: | 2~12 um | 熱導(dǎo)率: | 16 W/(m.k) at300K | 生長方式: | 布里奇曼法 |
|
產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)晶向: | <110>、<111> | 常規(guī)尺寸: | 10x10x1.0mm、5x5x1.0mm | 拋光情況: | 單拋、雙拋 | 表面粗糙度: | <5A | 注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
|
晶體缺陷
|
人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
|
標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝
|
免責(zé)聲明:
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容(包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等)僅用于宣傳用途,僅供參考。由于更新不及時(shí)和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差,請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議,或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù),請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾,請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同,科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息,恕不另行通知,請您諒解。
如果您需要下載產(chǎn)品的電子版技術(shù)文檔,說明書(在線閱覽),裝箱單,與售后安裝條件等文件,請點(diǎn)擊上方的附件下載模塊中選取。商城產(chǎn)品僅針對大陸地區(qū)客戶,購買前請與工作人員溝通,以免給您帶來不便。