- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
ZnSe晶體基片
- 產(chǎn)品概述:
- 硒化鋅(ZnSe)晶體基片廣泛應(yīng)用于CO2激光器的紅外光學(xué);透鏡;窗口;分束器;外延基片;蒸發(fā)源的晶體片等領(lǐng)域.
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱
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ZnSe 晶體基片
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技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu): | 立方晶系 | 晶格常數(shù): | a=5.6685 ? | 介電常數(shù): | 8.976 | 密度: | 5.264 g/cm3 | 熔點(diǎn): | 1525℃ | 熱容: | 0.339 J/g·k | 熱膨脹系數(shù)(10-6/K): | 7.1 | 折射率: | 2.5 | 透過波長: | 450~21500nm | 熱導(dǎo)率: | 16W/(m.k) at300K | 生長方式: | PVT法 |
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產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向: | <100>、<110>、<111> | 常規(guī)尺寸: | 5x5x0.5mm,10x10x0.5mm,10x5x0.5mm | 拋光情況: | 單拋 雙拋 細(xì)磨 | 注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
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標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝
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