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Idea-等離子體濺射鍍硅

發(fā)布時間:2021-03-10

第一組:前期在玻璃基底上鍍Si薄膜,功率為220W10min。XRD測試發(fā)現(xiàn)在24°附近出現(xiàn)饅頭峰,查閱文獻(xiàn)得到,該峰型為非晶硅;且文獻(xiàn)中提及在600℃退火處理后非晶硅出現(xiàn)晶化的過程,逐漸呈現(xiàn)出多晶硅的峰型,因XRD故障未進(jìn)行退火樣品測試。

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實驗結(jié)果:進(jìn)行膜厚測試,發(fā)現(xiàn)所鍍Si薄膜的膜厚跟所鍍時間不成正比關(guān)系。(膜厚儀進(jìn)行多次校準(zhǔn),且所鍍膜厚重復(fù)性較好),擬將厚度為20、40160nm的樣品寄回客戶檢測,確定所鍍厚度及膜層峰型。

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參考文獻(xiàn):1、摘自《非晶硅薄膜的低溫快速晶化及其結(jié)構(gòu)分析》

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2、摘自《基于射頻磁控濺射技術(shù)高容量硅負(fù)極薄膜材料可控制備研究》

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特別聲明:

1. 以上所有實驗僅為初步探究,僅供參考。由于我們水平有限,錯誤疏漏之處歡迎指出,我們非常期待您的建議。

2. 歡迎您提出其他實驗思路,我們來驗證。

3. 以上實驗案例及數(shù)據(jù)只針對科晶設(shè)備,不具有普遍性。

4. 因為涉及保密問題,以上數(shù)據(jù)僅為部分?jǐn)?shù)據(jù),歡迎老師與我們聯(lián)系,我們非常期待和您共同探討設(shè)備的應(yīng)用技術(shù)。


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